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  尽管这些趋势是大家所熟悉的，但是2018年并不无聊。大大小小的厂商们，还有他们的渠道合作伙伴，都一定要做出可能会影响其生死存亡的决策。旧式存储的持续转变，在美国缺乏对GDPR巨大影响的认识，这些意味着2018年将是激动人心的一年。

  近两年来，边缘计算这个词频繁被提及，得益于前期ETSI、3GPP等国际标准组织的推动，2016年在国内成立的边缘计算产业联盟(ECC)也致力于推动边缘计算在行业数字化转型中发挥作用，近期OpenStack基金会甚至也成立了专门的工作组以关注OpenStack对边缘计算平台的支持。

  在春节长假期，国人欢庆佳节的时候，长江存储的工厂依然在加紧建设，以确保今年三季度投产NAND flash，随着长江存储投产，中国可望打破当前三星在NAND flash行业独大的局面。

  旺宏接单报捷，旗下编码型快闪存储器（ NOR Flash）获意法半导体（STM）新款微控制器采用，导入汽车、工业及消费电子等领域。

  北京大学现代光学所陈建军研究员对记者说，到目前为止，研制太赫兹处理频率的微芯片面临两大挑战：芯片发热和难于扩展。但耶路撒冷希伯来大学物理学家乌列·列维博士及其团队，展示了新型光学器件制备技术的概念验证。该新技术结合了光通信的处理速度快和电子设备制造的可靠及可扩展性，有望解决上述两大“拦路虎”。

  据ETNews，统计机构IC Insights绘制的最新图表显示，每Gb DRAM芯片的价格在2018年1月份达到0.97美元，同比增长47%，这一增幅甚至比30年前的45%峰值还要夸张。 与之相对应的产量方面，增长却十分缓慢。观察人士称，主要是DRAM也进入10nm级别的制程，良率的提高不像以前那么快了。

  2017年8月底，三星电子宣布与陕西省政府达成合作协议，将扩大西安高新区工厂的 闪存产能 ，新建二期项目，未来三年投资70亿美元。 与此同时，三星也在韩国本土不断加大投资，连续开建两座新工厂，都兼具内存、闪存生产能力。

  韩国三星、SK海力士，以及美光等三大主要内存芯片厂重启产能扩建行动，加上中国大基金与紫光集团同步加码投入内存的资金和人力，市调机构示警，明年内存市场将再陷激烈杀价竞争风暴，NAND Flash供过于求的情况恐更甚于DRAM。

  我国存储芯片行业的动向不只影响着整个国际半导体市场，也成为三星电子、SK海力士等存储芯片垄断企业盈利和股价的最大变数，一直以来在这一领域保持领先的韩国企业感受到了真切的威胁。近日韩国媒体《韩国经济新闻》以“快马加鞭的中国半导体崛起”报道了中国存储芯片产业的快速发展。

  万勇透露，武汉国家存储器基地计产能10万片/月的一号生产及动力厂房，首个芯片会在2018年点亮，明年实现量产。而获得国务院批复的武汉国家存储器基地，规划建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlash生产厂房，到2022年全部达产后，产能将达到30万片/月，变成全球一流的存储器生产基地。他表示，武汉围绕芯片上游的设计封装、下游的器件和应用系统，建立存储生态产业链。

  自2008年到2009年全球经济衰退爆发以来，IC厂商为提高晶圆生产所带来的成本效益，一直在努力减少8寸以下晶圆厂产能，并转往更大尺寸晶圆生产发展。半导体厂商间兴起的购并风潮，以及朝向20纳米以下制程发展的同时，也有助于半导体制造厂商淘汰低效能老旧晶圆厂。

  中国存储器产业怎么样发展？本文从纯市场的角度，就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等方面提出几点思考。

  目前在售的紫光DDR4内存并没用国产颗粒，而是SK Hynix颗粒，是韩国公司的颗粒，也就是说现在的国内DDR4内存依然是挂羊头卖狗肉，跟市场上其他内存条没什么区别，国产的只是PCB之类的。不过店家也很坦诚，说紫光颗粒的DDR4内存下半年问世。

  云存储公司Dropbox上周五向美国证券交易委员会(SEC)提交了IPO(首次公开招股)申请文件，寻求筹集5亿美元资金。 Dropbox的IPO交易长期以来备受市场期待，该公司四年前在私募投资市场上的估值就已高达100亿美元。

  三星砸1750亿元建新工厂DRAM内存颗粒,新工厂也同时具备内存、闪存生产能力，但是三星尚未决定具体先做哪一个，肯定是要看后续市场需求，比如原有工厂最初就打算生产内存。新工厂计划在2019年第二季度末完工.

  紫光集团联席总裁兼紫光存储科技有限公司CEO齐联表示，紫光存储的竞争优势，一是在于有完整的产业链条支撑，产品具有较高的性价比。二是作为本地化企业，能更贴近国内客户，在产品研究开发和售后阶段与客户进行紧密的沟通，提升时间效率并降低成本。

  智能手机已然成为摄影和多媒体共享的首选设备，存储容量需求将继续明显地增加，目前旗舰级手机的容量最高为 256GB，预计到 2021 年容量将增长到 1TB。

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